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SIHA24N80AE-GE3

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SIHA24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

nicht konform

SIHA24N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.62000 $3.62
500 $3.5838 $1791.9
1000 $3.5476 $3547.6
1500 $3.5114 $5267.1
2000 $3.4752 $6950.4
2500 $3.439 $8597.5
959 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1836 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STB10N60M2
STB10N60M2
$0 $/Stück
HUF76132S3S
NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G
$0 $/Stück
NTB8N50
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$0 $/Stück
FDS7766S
IXTT140P10T
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$0 $/Stück
APTC60SKM24T1G

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