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SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 26A TO220

nicht konform

SIHA25N50E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.66000 $3.66
10 $3.27800 $32.78
100 $2.70830 $270.83
500 $2.21490 $1107.45
1,000 $1.88600 -
3,000 $1.79745 -
5,000 $1.73420 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1980 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IPB80N03S4L03
DMP6023LEQ-13
SI2309CDS-T1-GE3
BUK9M42-60EX
IRFPF50PBF
IRFPF50PBF
$0 $/Stück
3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
$0 $/Stück
IPI50R299CP

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