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SIHB055N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

nicht konform

SIHB055N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.75000 $6.75
500 $6.6825 $3341.25
1000 $6.615 $6615
1500 $6.5475 $9821.25
2000 $6.48 $12960
2500 $6.4125 $16031.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 26.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3707 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

G2R1000MT17D
STW45NM50
STW45NM50
$0 $/Stück
NVMFS5C682NLAFT3G
NVMFS5C682NLAFT3G
$0 $/Stück
FDBL9403-F085T6
FDBL9403-F085T6
$0 $/Stück
STL7N6F7
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$0 $/Stück
LSIC1MO120E0120
FCI11N60
RUM002N02T2L

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