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STL7N6F7

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MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT

STL7N6F7 Technisches Datenblatt

compliant

STL7N6F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27478 -
6,000 $0.25883 -
15,000 $0.24288 -
30,000 $0.23171 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (2x2)
Paket / Koffer 6-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

LSIC1MO120E0120
FCI11N60
RUM002N02T2L
SIHA100N60E-GE3
BSS138BKAHZGT116
STP110N8F7
STP110N8F7
$0 $/Stück
STW7N95K3
STW7N95K3
$0 $/Stück
NTD24N06-1G
NTD24N06-1G
$0 $/Stück

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