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SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

SOT-23

nicht konform

SIHF22N65E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.88640 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2415 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RQ5H025TNTL
DMN3026LVT-7
STI21N65M5
STI21N65M5
$0 $/Stück
HUF76429S3ST
HUF76429S3ST
$0 $/Stück
FCH190N65F-F155
FCH190N65F-F155
$0 $/Stück
FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM
$0 $/Stück
BUK7S1R0-40HJ

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