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SIHG018N60E-GE3

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SIHG018N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

nicht konform

SIHG018N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.89000 $18.89
10 $17.16900 $171.69
100 $14.59350 $1459.35
500 $12.44738 $6223.69
418 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 99A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 228 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7612 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 524W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI2324DS-T1-BE3
G60N04K
G60N04K
$0 $/Stück
SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/Stück
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/Stück
SCT3105KW7TL
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3

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