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SIHG22N60E-GE3

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SIHG22N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

nicht konform

SIHG22N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.09000 $5.09
10 $4.56000 $45.6
100 $3.76800 $376.8
500 $3.08160 $1540.8
1,000 $2.62400 -
2,500 $2.50080 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1920 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RF4E070GNTR
STO47N60M6
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$0 $/Stück
FDMS8050
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$0 $/Stück
TP2522N8-G
IXFH50N60P3
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$0 $/Stück
STB8N90K5
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$0 $/Stück
IRFP22N60KPBF
FQI5N80TU

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