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SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3

Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

compliant

SIHG24N80AEF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.10000 $5.1
500 $5.049 $2524.5
1000 $4.998 $4998
1500 $4.947 $7420.5
2000 $4.896 $9792
2500 $4.845 $12112.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 195mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1889 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHG180N60E-GE3
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/Stück
SIRA88DP-T1-GE3
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/Stück
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/Stück
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/Stück

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