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SIHJ10N60E-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

nicht konform

SIHJ10N60E-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.31000 $3.31
10 $3.00200 $30.02
100 $2.43080 $243.08
500 $1.91160 $955.8
1,000 $1.60008 -
3,000 $1.49624 -
6,000 $1.44432 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 784 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDS7760A
FCD600N60Z
FCD600N60Z
$0 $/Stück
PSMN4R4-30MLC,115
SIHG105N60EF-GE3
NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/Stück
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/Stück
IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/Stück
IRFP3006PBF

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