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SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

nicht konform

SIHP15N60E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.37000 $3.37
10 $3.02100 $30.21
100 $2.49630 $249.63
500 $2.04156 $1020.78
1,000 $1.73840 -
3,000 $1.65678 -
5,000 $1.59848 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PMPB8XNX
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$0 $/Stück
STW11NM80
STW11NM80
$0 $/Stück
IPB65R380C6
IRFIZ48GPBF
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$0 $/Stück
C2M0045170D
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HUF76009P3

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