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SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB

compliant

SIHP28N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.00000 $7
10 $6.27000 $62.7
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2714 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI7456DP-T1-E3
DMN6040SVTQ-7
IRF9530PBF-BE3
BSP295L6327
HUF76609D3
FDZ493P
BUK965R8-100E,118
CSD16342Q5A
CSD16342Q5A
$0 $/Stück
SIHD14N60E-BE3

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