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SIHP30N60E-GE3

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SIHP30N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

nicht konform

SIHP30N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.62000 $6.62
10 $5.91300 $59.13
100 $4.84830 $484.83
500 $3.92590 $1962.95
1,000 $3.31100 -
3,000 $3.14545 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

CSD17484F4
CSD17484F4
$0 $/Stück
SSI4N60BTU
PSMN3R5-80PS,127
SIHA22N60E-GE3
FDMS7692
FDMS7692
$0 $/Stück
IRFD210PBF
IRFD210PBF
$0 $/Stück
IXFN82N60P
IXFN82N60P
$0 $/Stück
SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
$0 $/Stück

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