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SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB

compliant

SIHP33N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.78000 $6.78
10 $6.05000 $60.5
100 $4.96100 $496.1
500 $4.01720 $2008.6
1,000 $3.38800 -
3,000 $3.21860 -
708 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3508 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQP13N06
SCTH40N120G2V7AG
NTP65N02R
NTP65N02R
$0 $/Stück
SIHG22N60E-GE3
RF4E070GNTR
STO47N60M6
STO47N60M6
$0 $/Stück
FDMS8050
FDMS8050
$0 $/Stück
TP2522N8-G
IXFH50N60P3
IXFH50N60P3
$0 $/Stück
STB8N90K5
STB8N90K5
$0 $/Stück

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