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SIHP35N60E-BE3

SIHP35N60E-BE3

SIHP35N60E-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

SOT-23

nicht konform

SIHP35N60E-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.34000 $6.34
500 $6.2766 $3138.3
1000 $6.2132 $6213.2
1500 $6.1498 $9224.7
2000 $6.0864 $12172.8
2500 $6.023 $15057.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2760 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G
NTA4153NT1G
NTA4153NT1G
$0 $/Stück
R6008FNX
R6008FNX
$0 $/Stück
RS3E075ATTB1
NTP125N65S3H
NTP125N65S3H
$0 $/Stück
IPS50R520CP
SIR5802DP-T1-RE3

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