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SIHP38N60EF-GE3

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SIHP38N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

nicht konform

SIHP38N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.11500 $5.115
500 $5.06385 $2531.925
1000 $5.0127 $5012.7
1500 $4.96155 $7442.325
2000 $4.9104 $9820.8
2500 $4.85925 $12148.125
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 189 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3576 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTGS3433T1G
NTGS3433T1G
$0 $/Stück
CSD17581Q5AT
APT10M11JVRU2
IXTP80N075L2
IXTP80N075L2
$0 $/Stück
TN2524N8-G
IXFN26N100P
IXFN26N100P
$0 $/Stück
FQU10N20TU
FCH041N65EF-F155
FCH041N65EF-F155
$0 $/Stück

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