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SIR800DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

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SIR800DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.74280 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 133 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5125 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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