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GT1003D

GT1003D

GT1003D

N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1

GT1003D Technisches Datenblatt

compliant

GT1003D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
2990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 212 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3L
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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