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FQP4N50

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3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO

FQP4N50 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQP4N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
2116 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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