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SIR826LDP-T1-RE3

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SIR826LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK

nicht konform

SIR826LDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3840 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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