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SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SIR872DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.46359 -
6,000 $1.41280 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 53.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2130 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4C020NT1G
NTMFS4C020NT1G
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VN2224N3-G
IXFR180N15P
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$0 $/Stück
CPH6350-TL-W
CPH6350-TL-W
$0 $/Stück
BSS138LT1G
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SI3402-TP
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SISA96DN-T1-GE3

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