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BSS138LT1G

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MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

BSS138LT1G Technisches Datenblatt

nicht konform

BSS138LT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07546 -
6,000 $0.06595 -
15,000 $0.05645 -
30,000 $0.05328 -
75,000 $0.05011 -
150,000 $0.04378 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 225mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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