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SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

compliant

SISA96DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17328 -
6,000 $0.16272 -
15,000 $0.15216 -
30,000 $0.14477 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1385 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 26.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C604NLT1G-UIL3
NTMFS5C604NLT1G-UIL3
$0 $/Stück
IRFR9020PBF
IRFR9020PBF
$0 $/Stück
FQU2N60TU
QS6U22TR
QS6U22TR
$0 $/Stück
RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
$0 $/Stück
STF14N80K5
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$0 $/Stück

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