Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SIR880ADP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.95100 -
6,000 $0.91800 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2289 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXFH42N60P3
IXFH42N60P3
$0 $/Stück
SIHG25N50E-GE3
FCP220N80
FCP220N80
$0 $/Stück
STL210N4LF7AG
FQD5P10TM
FQD5P10TM
$0 $/Stück
FQP4N90
PMH400UNEH
PMH400UNEH
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.