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SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

nicht konform

SIRA04DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3595 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SISH116DN-T1-GE3
EKI10198
EKI10198
$0 $/Stück
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/Stück
IRFU5505PBF
FDB6021P
APT32F120J
DMN6040SFDEQ-13

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