Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK

nicht konform

SIRA50ADP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.81311 -
6,000 $0.78489 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.04mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7300 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTD6416ANT4G
NTD6416ANT4G
$0 $/Stück
STW50N65DM6
DMP4050SSS-13
STW34NM60N
STW34NM60N
$0 $/Stück
SIHP180N60E-GE3
IRFR210TRLPBF
G3R20MT17K

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.