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SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

compliant

SIS322DNT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25520 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SIA445EDJ-T1-GE3
IRF840PBF
IRF840PBF
$0 $/Stück
STW4N150
STW4N150
$0 $/Stück
FDD9407L-F085
FDD9407L-F085
$0 $/Stück
IXTA130N10T
IXTA130N10T
$0 $/Stück
STH315N10F7-6
IXFP18N65X2M
IXFP18N65X2M
$0 $/Stück
DMN4030LK3-13

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