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SIS406DN-T1-GE3

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SIS406DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

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SIS406DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.34748 -
6,000 $0.32493 -
15,000 $0.31365 -
30,000 $0.30750 -
1979 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

STF4LN80K5
STF4LN80K5
$0 $/Stück
NDF03N60ZH
NDF03N60ZH
$0 $/Stück
SISA14DN-T1-GE3
STF22N60M6
STF22N60M6
$0 $/Stück
DMP4015SK3-13
DMP3010LK3-13
APT40M35JVR
FDP027N08B-F102
FDP027N08B-F102
$0 $/Stück

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