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SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

compliant

SIS890ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

DMN10H170SFDE-7
FQD5N30TM
STF2LN60K3
STF2LN60K3
$0 $/Stück
FCD1300N80Z
FCD1300N80Z
$0 $/Stück
IRLZ34PBF
IRLZ34PBF
$0 $/Stück
IXFH150N20T
IXFH150N20T
$0 $/Stück
DN2540N8-G
FDD8444L

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