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SISA18BDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SISA18BDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8PT
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

NDD01N60-1G
NDD01N60-1G
$0 $/Stück
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
$0 $/Stück
STD9N40M2
STD9N40M2
$0 $/Stück
SI2102-TP
SI2102-TP
$0 $/Stück
PMN25ENEAX
PMN25ENEAX
$0 $/Stück
PSMN1R6-40YLC,115

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