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SISH410DN-T1-GE3

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SISH410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK

SOT-23

nicht konform

SISH410DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51004 -
6,000 $0.48609 -
15,000 $0.46899 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

STQ1NC45R-AP
FQP3P20
FQP3P20
$0 $/Stück
BUK9516-55A,127
BUK9516-55A,127
$0 $/Stück
IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
$0 $/Stück
IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/Stück
FDD6606
SI2356DS-T1-BE3

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