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SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

compliant

SISS32ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.63000 $1.63
500 $1.6137 $806.85
1000 $1.5974 $1597.4
1500 $1.5811 $2371.65
2000 $1.5648 $3129.6
2500 $1.5485 $3871.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1520 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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