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SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

SOT-23

nicht konform

SISS63DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 236 nC @ 8 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7080 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

RQ6E035SPTR
IXTX90N25L2
IXTX90N25L2
$0 $/Stück
APT41M80L
SIRA24DP-T1-GE3
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/Stück
FDD6690S
SISS27DN-T1-GE3

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