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SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

compliant

SISS71DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.52480 -
6,000 $0.50016 -
15,000 $0.48256 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1050 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

NVD5C486NT4G
NVD5C486NT4G
$0 $/Stück
STL35N75LF3
IRFZ14SPBF
IRFZ14SPBF
$0 $/Stück
IRFL9110TRPBF-BE3
RQ6E080AJTCR

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