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SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DUAL 30V

compliant

SIZ200DT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.48708 -
6,000 $0.46421 -
15,000 $0.44788 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Leistung - max. 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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Zugehörige Teilenummer

NTMD4820NR2G
NTMD4820NR2G
$0 $/Stück
SIZF906BDT-T1-GE3
SH8K41GZETB
SIZ340BDT-T1-GE3
FSS273-TL-E-SY
FSS273-TL-E-SY
$0 $/Stück
SH8K4TB1
SH8K4TB1
$0 $/Stück
SQJ570EP-T1_GE3
QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/Stück

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