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SQ3419AEEV-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP

nicht konform

SQ3419AEEV-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27459 -
6,000 $0.25677 -
15,000 $0.24786 -
30,000 $0.24300 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 61mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 975 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NTNS3A91PZT5G
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$0 $/Stück
IXTT500N04T2
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$0 $/Stück
SI4425FDY-T1-GE3
NTMTS0D6N04CLTXG
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$0 $/Stück
PMV65UN,215
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$0 $/Stück
APT51M50J
STP16N65M2
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