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SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70

compliant

SQA470EEJ-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20577 -
6,000 $0.19323 -
15,000 $0.18069 -
30,000 $0.17191 -
27 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 453 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 13.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C628NLT1G
NTMFS5C628NLT1G
$0 $/Stück
SUD19P06-60L-E3
FQA14N30
IXFN140N25T
IXFN140N25T
$0 $/Stück
APT50M85JVFR
NTD6N40T4
NTD6N40T4
$0 $/Stück
STP5N95K5
STP5N95K5
$0 $/Stück
SIHG35N60EF-GE3
DMN2028UFDF-13

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