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SQA470EJ-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70

nicht konform

SQA470EJ-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20577 -
6,000 $0.19323 -
15,000 $0.18069 -
30,000 $0.17191 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 440 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 13.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

DMNH4005SCT
STB33N60DM2
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/Stück
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/Stück
SQM120N03-1M5L_GE3
DMT6005LSS-13
HUF75623P3
FDN352AP
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$0 $/Stück

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