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SQJ150EP-T1_GE3

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SQJ150EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ150EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.89000 $0.89
500 $0.8811 $440.55
1000 $0.8722 $872.2
1500 $0.8633 $1294.95
2000 $0.8544 $1708.8
2500 $0.8455 $2113.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1274 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RF1S25N06SM9A
SIS4604DN-T1-GE3
SIHD14N60ET1-GE3
NTB7D3N15MC
NTB7D3N15MC
$0 $/Stück
FDMS0355S
DMTH6009SPS-13
NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1
$0 $/Stück

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