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IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1

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SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R072M1HXTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.25000 $13.25
500 $13.1175 $6558.75
1000 $12.985 $12985
1500 $12.8525 $19278.75
2000 $12.72 $25440
2500 $12.5875 $31468.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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