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FDMS0355S

FDMS0355S

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

FDMS0355S Technisches Datenblatt

compliant

FDMS0355S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
6000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1815 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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