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SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJ262EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.53136 -
6,000 $0.50641 -
15,000 $0.48859 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc), 40A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Leistung - max. 27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Zugehörige Teilenummer

FDC8602
FDC8602
$0 $/Stück
QS6J1TR
QS6J1TR
$0 $/Stück
DMN3061SVT-13
NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
$0 $/Stück
FDPC1002S
APTC60TAM24TPG
SI3134KDW-TP

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