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SQJ443EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ443EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55104 -
6,000 $0.52517 -
15,000 $0.50669 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2030 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RM17N800T2
RM17N800T2
$0 $/Stück
MCAC50N10Y-TP
SI8424CDB-T1-E1
TP2540N8-G
STWA40N95K5
IRFD120PBF
IRFD120PBF
$0 $/Stück
DMP3125L-7
DMTH6016LK3Q-13
CSD23203WT
CSD23203WT
$0 $/Stück

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