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SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SQJ444EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN7R6-100BSEJ
NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG
$0 $/Stück
IRFH8334TRPBF
FDPF10N60ZUT
FDPF10N60ZUT
$0 $/Stück
IXTJ4N150
IXTJ4N150
$0 $/Stück
IXFA34N65X3
IXFA34N65X3
$0 $/Stück

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