Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ460AEP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4795 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STD25NF10LA
SIHF520STRR-GE3
RF4C100BCTCR
IXFR44N50Q
IXFR44N50Q
$0 $/Stück
SIRA04DP-T1-GE3
SISH116DN-T1-GE3
EKI10198
EKI10198
$0 $/Stück
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.