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IPB060N15N5ATMA1

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MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

compliant

IPB060N15N5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.47563 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 136A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.6V @ 180µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5300 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

SIRA04DP-T1-GE3
SISH116DN-T1-GE3
EKI10198
EKI10198
$0 $/Stück
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/Stück
IRFU5505PBF
FDB6021P

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