Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ474EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIHB24N65ET5-GE3
IXFX26N100P
IXFX26N100P
$0 $/Stück
SIHU3N50D-GE3
GKI03039
GKI03039
$0 $/Stück
RM4P20ES6
RM4P20ES6
$0 $/Stück
SQS482EN-T1_GE3
SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
$0 $/Stück
SISS26LDN-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.