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SQJA68EP-T1_BE3

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SQJA68EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

nicht konform

SQJA68EP-T1_BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.79000 $0.79
500 $0.7821 $391.05
1000 $0.7742 $774.2
1500 $0.7663 $1149.45
2000 $0.7584 $1516.8
2500 $0.7505 $1876.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 92mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SIHG33N65EF-GE3
FDT86246L
FDT86246L
$0 $/Stück
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/Stück
SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/Stück
STS8N6LF6AG

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