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SQJQ100EL-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

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SQJQ100EL-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.42650 -
6,000 $1.37700 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
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Zugehörige Teilenummer

SPU03N60S5IN
PSMN3R9-60PSQ
SIHG35N60E-GE3
CSD18511KTT
CSD18511KTT
$0 $/Stück
NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/Stück
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/Stück
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/Stück
DMP2305U-7

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