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SQJQ160E-T1_GE3

SQJQ160E-T1_GE3

SQJQ160E-T1_GE3

Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

SOT-23

nicht konform

SQJQ160E-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.70000 $3.7
500 $3.663 $1831.5
1000 $3.626 $3626
1500 $3.589 $5383.5
2000 $3.552 $7104
2500 $3.515 $8787.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 602A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.85mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 275 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 16070 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
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