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SQM120N04-1M7L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

nicht konform

SQM120N04-1M7L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.68300 $1346.4
1,600 $1.57080 -
2,400 $1.49226 -
5,600 $1.43616 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 285 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14606 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK7Y98-80E,115
DMP2305UQ-7
IXFQ22N60P3
IXFQ22N60P3
$0 $/Stück
MMFTP84W
MMFTP84W
$0 $/Stück
DMN2100UDM-7
STF24N60M6
STF24N60M6
$0 $/Stück
IRF7241TRPBF
DMT35M7LFV-13

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